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HDAP-250D/400D
电弧等离子炬电源
采用全桥相移谐振软开关技术与高精度数字化控制，HDAP系列提供0.1A级电流精度与MODBUS远程通讯，确保等离子体发生过程的高效与可靠。
核心架构： 全桥相移谐振、软开关逆变、低损耗IGBT
性能指标： 100%暂载率、24小时连续运行、0.1A/0.1V高精度显示
控制交互： MODBUS通讯协议、RS485/模拟量远程控制、数字化操作
运行保障： 高频非接触起弧、过载过热保护、起弧成功率高
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产品详情
性能特点
1. 主电路采用全桥相移谐振式软开关逆变电路, IGBT开关损耗低，开关应力小，可靠性高。 2. 采用数码显示,数字化操作,单片机控制,控制精度高。 3. 具有近程、远程模拟量、远程数字(RS485)三种控制模式，远程数字控制采用MODBUS通讯协议。 4. 高频非接触起弧方式，起弧成功率高。 5. 具有完善的过载过热等保护和显示功能。 6. 预置电流显示，预置精度1A。 7. 工作电流(精度0.1A)和工作电压(精度0.1V)精确显示。 8. 暂载率高达100%，可24小时连续运行。 9. 成功用于多晶金刚石的高质量生长，生产效率高。
主要技术参数
| 项目 | HDAP-250D | HDAP-400D |
|---|---|---|
| 额定输入电压 | 三相 AC380V ±10% 50Hz | 三相 AC380V ±10% 50Hz |
| 额定输入功率 | 40 KVA | 75 KVA |
| 额定输入电流 | 60 A | 115 A |
| 额定输出电流 | 250 A | 400 A |
| 额定输出电压 | 130 V | 150 V |
| 输出电流范围 | 50~250 A | 50~400 A |
| 额定空载电压 | DC 340 V | DC 380 V |
| 额定负载持续率 | 100% | 100% |
| 输出外特性 | 恒流 | 恒流 |
| 控制方式 | IGBT 逆变控制 | IGBT 逆变控制 |
| 引弧方式 | 高频引弧 | 高频引弧 |
| 冷却方式 | 强制风冷 | 强制风冷 |
| 绝缘等级 | H | H |
| 外壳防护等级 | IP21S | IP21S |
| 外形尺寸 (W×H×D) | 330 × 580 × 880 mm | 400 × 800 × 880 mm |
| 重量 | 75 kg | 120 kg |
应用场景
- 核心应用： 多晶金刚石生长 (Polycrystalline Diamond Growth)、高质量金刚石膜制备
- 通用场景： 等离子体发生器配套、CVD化学气相沉积、高温电弧加热
- 工业环境： 长时间连续生产线、自动化集成控制系统